اللغة:ar 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| نموذج： | BUK7E3R5-60E,127 |
|---|---|
| تصنيف المنتجات： | FETs الفردية، MOSFETs |
| الصانع： | NXP Semiconductors |
| النوع： | TRANSISTOR >30M |
| تغليف： | - |
| التعبئة： | حجم كبير |
| الكمية： | 3710 |
| حالة RoHS： | |
|
الحصول على معلومات العرض
|
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
316
$0.9500
$300.2000
| يكتب | وصف |
| MFR | NXP Semiconductors |
| مسلسل | TrenchMOS™ |
| طَرد | حجم كبير |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
| نوع التركيب | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 120A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 3.5mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 293W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 4V @ 1mA |
| حزمة جهاز المورد | I2PAK |
| درجة | Automotive |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 10V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ±20V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 60 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 8920 pF @ 25 V |
| مؤهل | AEC-Q101 |
