EPC2014C FETs الفردية، MOSFETs

تفاصيل المنتجات

نموذج：	EPC2014C
تصنيف المنتجات：	FETs الفردية، MOSFETs
الصانع：	EPC
النوع：	GANFET N-CH 40V
تغليف：	-
التعبئة：	الشريط والبكرة (TR)
الكمية：	55011
حالة RoHS：	1
الحصول على معلومات العرض

الأسعار: $0.6600

المخزون: 55011

إجمالي عدد

الكمية

الأسعار

السعر الإجمالي

$1.6000

$1.3100

$13.1000

100

$1.0200

$102.0000

500

$0.8600

$430.0000

1000

$0.7000

$700.0000

2500

$0.6600

$1,650.0000

5000

$0.6300

$3,150.0000

12500

$0.6000

$7,500.0000

5031691

نموذج：

5031691

تصنيف المنتجات：

FETs الفردية، MOSFETs

الصانع：

EPC

النوع：

GANFET N-CH 40V

تغليف：

التعبئة：

الشريط والبكرة (TR)

الكمية：

53511

lang_roHSStatusStatus：

معلمات المنتج

PDF(1)

PDF(2)

PDF(3)

يكتب	وصف
MFR	EPC
مسلسل	eGaN®
طَرد	الشريط والبكرة (TR)
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	Die
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-40°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	GaNFET (Gallium Nitride)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	2.5V @ 2mA
حزمة جهاز المورد	Die
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	5V
في جي إس (الحد الأقصى)	+6V, -4V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	40 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	2.5 nC @ 5 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	300 pF @ 20 V