نموذج: | EPC2015 |
---|---|
تصنيف المنتجات: | FETs الفردية، MOSFETs |
الصانع: | EPC |
النوع: | GANFET N-CH 40V |
تغليف: | - |
التعبئة: | الشريط والبكرة (TR) |
الكمية: | 3000 |
حالة RoHS: | 1 |
الحصول على معلومات العرض
|
يكتب | وصف |
MFR | EPC |
مسلسل | eGaN® |
طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
حالة المنتج | DISCONTINUED |
الحزمة / القضية | Die |
نوع التركيب | Surface Mount |
درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
تكنولوجيا | GaNFET (Gallium Nitride) |
نوع فيت | N-Channel |
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 33A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 4mOhm @ 33A, 5V |
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2.5V @ 9mA |
حزمة جهاز المورد | Die |
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 5V |
في جي إس (الحد الأقصى) | +6V, -5V |
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 40 V |
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 11.6 nC @ 5 V |
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 1200 pF @ 20 V |