EPC2021 FETs الفردية، MOSFETs

تفاصيل المنتجات

الأسعار: $5.1000

المخزون: 9776

إجمالي عدد

الكمية

الأسعار

السعر الإجمالي

$8.9900

$7.7100

$77.1000

100

$6.4200

$642.0000

500

$5.6700

$2,835.0000

1000

$5.1000

$5,100.0000

2000

$4.7800

$9,560.0000

5032002

نموذج：

5032002

تصنيف المنتجات：

FETs الفردية، MOSFETs

الصانع：

EPC

النوع：

GANFET N-CH 80V

تغليف：

التعبئة：

الشريط والبكرة (TR)

الكمية：

8276

lang_roHSStatusStatus：

معلمات المنتج

PDF(1)

PDF(2)

PDF(3)

PDF(4)

يكتب	وصف
MFR	EPC
مسلسل	eGaN®
طَرد	الشريط والبكرة (TR)
حالة المنتج	NOT_FOR_NEW_DESIGNS
الحزمة / القضية	Die
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-40°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	GaNFET (Gallium Nitride)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	2.5V @ 14mA
حزمة جهاز المورد	Die
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	5V
في جي إس (الحد الأقصى)	+6V, -4V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	80 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	15 nC @ 5 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	1650 pF @ 40 V