اللغة:ar 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| نموذج： | EPC7018GC |
|---|---|
| تصنيف المنتجات： | FETs الفردية، MOSFETs |
| الصانع： | EPC Space |
| النوع： | GAN FET HEMT 10 |
| تغليف： | - |
| التعبئة： | حجم كبير |
| الكمية： | 3008 |
| حالة RoHS： | |
|
الحصول على معلومات العرض
|
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$316.8000
$316.8000
10
$296.7200
$2,967.2000
| يكتب | وصف |
| MFR | EPC Space |
| مسلسل | eGaN® |
| طَرد | حجم كبير |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | 5-SMD, No Lead |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | GaNFET (Gallium Nitride) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 80A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 6mOhm @ 40A, 5V |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2.5V @ 12mA |
| حزمة جهاز المورد | 5-SMD |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 5V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | +6V, -4V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 100 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 11.7 nC @ 5 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 1240 pF @ 50 V |
