G06N06S FETs الفردية، MOSFETs

تفاصيل المنتجات

نموذج：	G06N06S
تصنيف المنتجات：	FETs الفردية، MOSFETs
الصانع：	Goford Semiconductor
النوع：	N60V,RD(MAX)<22
تغليف：	-
التعبئة：	الشريط والبكرة (TR)
الكمية：	9142
حالة RoHS：	1
الحصول على معلومات العرض

الأسعار: $0.2200

المخزون: 9142

إجمالي عدد

الكمية

الأسعار

السعر الإجمالي

$0.5900

$0.5100

$5.1000

100

$0.3500

$35.0000

500

$0.2900

$145.0000

1000

$0.2500

$250.0000

2000

$0.2200

$440.0000

4000

$0.2200

$880.0000

8000

$0.2100

$1,680.0000

12000

$0.2000

$2,400.0000

28000

$0.1900

$5,320.0000

16499564

نموذج：

16499564

تصنيف المنتجات：

FETs الفردية، MOSFETs

الصانع：

Goford Semiconductor

النوع：

N60V,RD(MAX)<22

تغليف：

التعبئة：

الشريط والبكرة (TR)

الكمية：

7642

lang_roHSStatusStatus：

معلمات المنتج

PDF(1)

يكتب	وصف
MFR	Goford Semiconductor
مسلسل	TrenchFET®
طَرد	الشريط والبكرة (TR)
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	22mOhm @ 6A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	2.1W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	2.4V @ 250µA
حزمة جهاز المورد	8-SOP
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	60 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	46 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	1600 pF @ 30 V