اللغة:ar 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| نموذج： | GPI65007DF56 |
|---|---|
| تصنيف المنتجات： | FETs الفردية، MOSFETs |
| الصانع： | GaNPower |
| النوع： | GaNFET N-CH 6 |
| تغليف： | - |
| التعبئة： | الشريط والبكرة (TR) |
| الكمية： | 3040 |
| حالة RoHS： | 1 |
|
الحصول على معلومات العرض
|
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$3.5000
$3.5000
| يكتب | وصف |
| MFR | GaNPower |
| مسلسل | - |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | GaNFET (Gallium Nitride) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 7A |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 1.5V @ 3.5mA |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 6V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | +7.5V, -12V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 650 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 2.1 nC @ 6 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 76.1 pF @ 400 V |
