اللغة:ar 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| نموذج： | IRF830AS |
|---|---|
| تصنيف المنتجات： | FETs الفردية، MOSFETs |
| الصانع： | Vishay / Siliconix |
| النوع： | MOSFET N-CH 500 |
| تغليف： | - |
| التعبئة： | أنبوب |
| الكمية： | 3000 |
| حالة RoHS： | |
|
الحصول على معلومات العرض
|
| يكتب | وصف |
| MFR | Vishay / Siliconix |
| مسلسل | - |
| طَرد | أنبوب |
| حالة المنتج | OBSOLETE |
| الحزمة / القضية | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 1.4Ohm @ 3A, 10V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 4.5V @ 250µA |
| حزمة جهاز المورد | TO-263 (D2PAK) |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 10V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ±30V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 500 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 620 pF @ 25 V |
