اللغة:ar 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| نموذج： | IV1D12010O2 |
|---|---|
| تصنيف المنتجات： | الثنائيات المفردة |
| الصانع： | Inventchip Technology |
| النوع： | DIODE SIL CARB |
| تغليف： | - |
| التعبئة： | أنبوب |
| الكمية： | 3190 |
| حالة RoHS： | 1 |
|
الحصول على معلومات العرض
|
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$10.8200
$10.8200
10
$9.2700
$92.7000
100
$7.7300
$773.0000
500
$6.8200
$3,410.0000
1000
$6.1400
$6,140.0000
| يكتب | وصف |
| MFR | Inventchip Technology |
| مسلسل | - |
| طَرد | أنبوب |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | TO-220-2 |
| نوع التركيب | Through Hole |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| عكس وقت الاسترداد (trr) | 0 ns |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| السعة @ Vr، F | 575pF @ 1V, 1MHz |
| الحالي - المتوسط المصحح (Io) | 28A |
| حزمة جهاز المورد | TO-220-2 |
| درجة حرارة التشغيل - الوصلة | -55°C ~ 175°C |
| الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى) | 1200 V |
| الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا | 1.8 V @ 10 A |
| التيار - التسرب العكسي عند Vr | 50 µA @ 1200 V |
