اللغة:ar 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| نموذج： | SQJQ900E-T1_GE3 |
|---|---|
| تصنيف المنتجات： | FET، صفائف MOSFET |
| الصانع： | Vishay / Siliconix |
| النوع： | MOSFET 2N-CH 40 |
| تغليف： | - |
| التعبئة： | الشريط والبكرة (TR) |
| الكمية： | 3000 |
| حالة RoHS： | 1 |
|
الحصول على معلومات العرض
|
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
2000
$1.1600
$2,320.0000
6000
$1.1200
$6,720.0000
| يكتب | وصف |
| MFR | Vishay / Siliconix |
| مسلسل | TrenchFET® |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| إعدادات | 2 N-Channel (Dual) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| أقصى القوة | 75W |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 40V |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 100A (Tc) |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 5900pF @ 20V |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2.5V @ 250µA |
| حزمة جهاز المورد | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| درجة | Automotive |
| مؤهل | AEC-Q101 |
