اللغة:ar 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| نموذج： | UF3C065080T3S |
|---|---|
| تصنيف المنتجات： | FETs الفردية، MOSFETs |
| الصانع： | UnitedSiC (Qorvo) |
| النوع： | MOSFET N-CH 650 |
| تغليف： | - |
| التعبئة： | أنبوب |
| الكمية： | 10559 |
| حالة RoHS： | 1 |
|
الحصول على معلومات العرض
|
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$5.2600
$5.2600
50
$4.2000
$210.0000
100
$3.8900
$389.0000
| يكتب | وصف |
| MFR | UnitedSiC (Qorvo) |
| مسلسل | - |
| طَرد | أنبوب |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | TO-220-3 |
| نوع التركيب | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 31A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 100mOhm @ 20A, 12V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 190W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 6V @ 10mA |
| حزمة جهاز المورد | TO-220-3 |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 12V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ±25V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 650 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 51 nC @ 15 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
