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Produits Détails
  • image of FET simples, MOSFET>CDF56G6511N TR13 PBFREE
  • image of FET simples, MOSFET>CDF56G6511N TR13 PBFREE
modèle CDF56G6511N TR13 PBFREE
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Central Semiconductor
type 650V, 11A, N-CH
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 5461
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
prix: $2.2800
Les stocks: 5461
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$4.6800

$4.6800

10

$3.9300

$39.3000

100

$3.1800

$318.0000

500

$2.8300

$1,415.0000

1000

$2.4200

$2,420.0000

2500

$2.2800

$5,700.0000

image of FET simples, MOSFET>21729340
21729340
modèle
21729340
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricants
Central Semiconductor
type
650V, 11A, N-CH
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
3961
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantCentral Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerVDFN
Type de montageSurface Mount, Wettable Flank
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C11.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 3.9A, 6V
Dissipation de puissance (maximum)1.1W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 12.2mA
Package d'appareil du fournisseur8-DFN (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)6V
Vgs (Max)+7V, -1.4V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs2.8 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds96 pF @ 400 V
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
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