modèle: | CDF56G6511N TR13 PBFREE |
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Classification des produits: | FET simples, MOSFET |
Fabricants: | Central Semiconductor |
type: | 650V, 11A, N-CH |
encapsulé: | - |
Emballage: | Bande et bobine (TR) |
quantité: | 5461 |
État de RoHS: | 1 |
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quantité
prix
Le prix total
1
$4.6800
$4.6800
10
$3.9300
$39.3000
100
$3.1800
$318.0000
500
$2.8300
$1,415.0000
1000
$2.4200
$2,420.0000
2500
$2.2800
$5,700.0000
TAPER | DESCRIPTION |
Fabricant | Central Semiconductor |
Série | - |
Emballer | Bande et bobine (TR) |
État du produit | ACTIVE |
Colis/Caisse | 8-PowerVDFN |
Type de montage | Surface Mount, Wettable Flank |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Type FET | N-Channel |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 11.5A (Tc) |
Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 3.9A, 6V |
Dissipation de puissance (maximum) | 1.1W (Ta), 84W (Tc) |
Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 12.2mA |
Package d'appareil du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
Vgs (Max) | +7V, -1.4V |
Tension drain-source (Vdss) | 650 V |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 6 V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 96 pF @ 400 V |