langue:fr 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| modèle： | DMN3061S-13 |
|---|---|
| Classification des produits： | FET simples, MOSFET |
| Fabricants： | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
| type： | MOSFET BVDSS: 2 |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 3000 |
| État de RoHS： | 1 |
|
Obtenir des informations sur les offres
|
quantité
prix
Le prix total
10000
$0.0600
$600.0000
30000
$0.0600
$1,800.0000
50000
$0.0500
$2,500.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 2.3A (Ta) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 3.1A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 770mW (Ta) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | SOT-23-3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 233 pF @ 15 V |
