modèle: | DMT35M4LPSW-13 |
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Classification des produits: | FET simples, MOSFET |
Fabricants: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
type: | MOSFET BVDSS: 2 |
encapsulé: | - |
Emballage: | Bande et bobine (TR) |
quantité: | 3000 |
État de RoHS: | 1 |
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quantité
prix
Le prix total
2500
$0.2300
$575.0000
5000
$0.2100
$1,050.0000
12500
$0.2000
$2,500.0000
25000
$0.1900
$4,750.0000
TAPER | DESCRIPTION |
Fabricant | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Série | - |
Emballer | Bande et bobine (TR) |
État du produit | ACTIVE |
Colis/Caisse | 8-PowerTDFN |
Type de montage | Surface Mount, Wettable Flank |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Type FET | N-Channel |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 18.9A (Ta), 71.1A (Tc) |
Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (maximum) | 1.5W (Ta) |
Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Package d'appareil du fournisseur | PowerDI5060-8 (Type UX) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Tension drain-source (Vdss) | 30 V |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1029 pF @ 15 V |