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JIQUN

Produits Détails
  • image of FET simples, MOSFET>DMTH10H4M5LPSW
  • image of FET simples, MOSFET>DMTH10H4M5LPSW
modèle DMTH10H4M5LPSW
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
type MOSFET BVDSS: 6
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 5500
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
prix: $0.8200
Les stocks: 5500
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$1.9500

$1.9500

10

$1.6200

$16.2000

100

$1.2900

$129.0000

500

$1.0900

$545.0000

1000

$0.9200

$920.0000

2500

$0.8200

$2,050.0000

image of FET simples, MOSFET>17840240
17840240
modèle
17840240
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricants
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
type
MOSFET BVDSS: 6
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
4000
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerTDFN
Type de montageSurface Mount, Wettable Flank
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C20A (Ta), 107A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurPowerDI5060-8 (Type UX)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4843 pF @ 50 V
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
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