EPC2007 FET simples, MOSFET

Produits Détails

modèle：	EPC2007
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	EPC
type：	GANFET N-CH 100
encapsulé：	-
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	3000
État de RoHS：	1
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2351748

modèle：

2351748

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

EPC

type：

GANFET N-CH 100

encapsulé：

Emballage：

Bande et bobine (TR)

quantité：

1500

lang_roHSStatusStatus：

Produits Paramètres

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TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	EPC
Série	eGaN®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	OBSOLETE
Colis/Caisse	Die
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 1.2mA
Package d'appareil du fournisseur	Die
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -5V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.8 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	205 pF @ 50 V