modèle: | EPC7018GC |
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Classification des produits: | FET simples, MOSFET |
Fabricants: | EPC Space |
type: | GAN FET HEMT 10 |
encapsulé: | - |
Emballage: | En gros |
quantité: | 3008 |
État de RoHS: | |
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quantité
prix
Le prix total
1
$316.8000
$316.8000
10
$296.7200
$2,967.2000
TAPER | DESCRIPTION |
Fabricant | EPC Space |
Série | eGaN® |
Emballer | En gros |
État du produit | ACTIVE |
Colis/Caisse | 5-SMD, No Lead |
Type de montage | Surface Mount |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Type FET | N-Channel |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 80A (Tc) |
Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 40A, 5V |
Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 12mA |
Package d'appareil du fournisseur | 5-SMD |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Tension drain-source (Vdss) | 100 V |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7 nC @ 5 V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1240 pF @ 50 V |