langue:fr 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| modèle： | EPC7020GC |
|---|---|
| Classification des produits： | FET simples, MOSFET |
| Fabricants： | EPC Space |
| type： | GAN FET HEMT 20 |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | En gros |
| quantité： | 3000 |
| État de RoHS： | |
|
Obtenir des informations sur les offres
|
quantité
prix
Le prix total
1
$316.8000
$316.8000
10
$296.7200
$2,967.2000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | EPC Space |
| Série | eGaN® |
| Emballer | En gros |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 5-SMD, No Lead |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 80A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 30A, 5V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Package d'appareil du fournisseur | 5-SMD |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1313 pF @ 100 V |
