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JIQUN
| modèle： | FESB16GTHM3/I |
|---|---|
| Classification des produits： | Diodes simples |
| Fabricants： | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| type： | DIODE GEN PURP |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 3000 |
| État de RoHS： | |
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Type de montage | Surface Mount |
| Vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inversée (trr) | 50 ns |
| Technologie | Standard |
| Capacité @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
| Courant - Moyenne redressée (Io) | 16A |
| Package d'appareil du fournisseur | TO-263AB (D2PAK) |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Grade | Automotive |
| Tension - CC inverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Tension - Direct (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 16 A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10 µA @ 400 V |
| Qualification | AEC-Q101 |
