G3R40MT12D FET simples, MOSFET

Produits Détails

modèle：	G3R40MT12D
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	GeneSiC Semiconductor
type：	SIC MOSFET N-CH
encapsulé：	-
Emballage：	Tube
quantité：	4732
État de RoHS：	1
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13280383

modèle：

13280383

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

GeneSiC Semiconductor

type：

SIC MOSFET N-CH

encapsulé：

Emballage：

Tube

quantité：

3232

lang_roHSStatusStatus：

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Série	G3R™
Emballer	Tube
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-247-3
Type de montage	Through Hole
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	71A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	48mOhm @ 35A, 15V
Dissipation de puissance (maximum)	333W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.69V @ 10mA
Package d'appareil du fournisseur	TO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Vgs (Max)	±15V
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	106 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2929 pF @ 800 V