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JIQUN
| modèle： | GPI65007DF56 |
|---|---|
| Classification des produits： | FET simples, MOSFET |
| Fabricants： | GaNPower |
| type： | GaNFET N-CH 6 |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 3040 |
| État de RoHS： | 1 |
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quantité
prix
Le prix total
1
$3.5000
$3.5000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | GaNPower |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 7A |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 1.5V @ 3.5mA |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1 nC @ 6 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 76.1 pF @ 400 V |
