GPI65010DF56 FET simples, MOSFET

Produits Détails

modèle：	GPI65010DF56
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	GaNPower
type：	GANFET N-CH 65
encapsulé：	-
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	3283
État de RoHS：
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prix: $5.0000

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15783999

modèle：

15783999

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

GaNPower

type：

GANFET N-CH 65

encapsulé：

Emballage：

Bande et bobine (TR)

quantité：

1783

lang_roHSStatusStatus：

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	GaNPower
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	Die
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10A
Vgs(e) (Max) @ Id	1.4V @ 3.5mA
Package d'appareil du fournisseur	Die
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V
Vgs (Max)	+7.5V, -12V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.6 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	90 pF @ 400 V