langue:fr
  • zh-cn
  • en
  • ja
  • ru
  • fr
  • ar

JIQUN

Produits Détails
  • image of FET simples, MOSFET>GSFAT0600
  • image of FET simples, MOSFET>GSFAT0600
modèle GSFAT0600
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Good Ark Semiconductor
type MOSFET, N-CH, S
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 18785
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
prix: $0.1900
Les stocks: 18785
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$0.1900

$0.1900

10

$0.1300

$1.3000

100

$0.0700

$7.0000

500

$0.0600

$30.0000

1000

$0.0400

$40.0000

2000

$0.0300

$60.0000

4000

$0.0300

$120.0000

8000

$0.0300

$240.0000

12000

$0.0300

$360.0000

28000

$0.0200

$560.0000

100000

$0.0200

$2,000.0000

200000

$0.0200

$4,000.0000

image of FET simples, MOSFET>21724792
21724792
modèle
21724792
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricants
Good Ark Semiconductor
type
MOSFET, N-CH, S
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
17285
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGood Ark Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseSOT-523
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C300mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (maximum)150mW (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurSOT-523
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)60 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs0.44 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
captcha

Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
Veuillez sélectionner le service en ligne :
86-13826519287‬

Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
Veuillez sélectionner le service en ligne :
点击这里给我发消息
0