GT400P10M FET simples, MOSFET

Produits Détails

modèle：	GT400P10M
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	Goford Semiconductor
type：	MOSFET P-CH 100
encapsulé：	-
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	3783
État de RoHS：	1
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21556459

modèle：

21556459

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

Goford Semiconductor

type：

MOSFET P-CH 100

encapsulé：

Emballage：

Bande et bobine (TR)

quantité：

2283

lang_roHSStatusStatus：

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	P-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	106W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-263
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3073 pF @ 50 V