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JIQUN
| modèle： | IAUC120N04S6N008ATMA1 |
|---|---|
| Classification des produits： | FET simples, MOSFET |
| Fabricants： | IR (Infineon Technologies) |
| type： | MOSFET_(20V 40V |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 3000 |
| État de RoHS： | 1 |
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quantité
prix
Le prix total
5000
$1.2300
$6,150.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 8-PowerTDFN |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 43A (Ta) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 0.8mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 150W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 3V @ 90µA |
| Package d'appareil du fournisseur | PG-TDSON-8-43 |
| Grade | Automotive |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 40 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7150 pF @ 25 V |
| Qualification | AEC-Q101 |
