IAUCN04S7L005ATMA1 FET simples, MOSFET

Produits Détails

modèle：	IAUCN04S7L005ATMA1
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	IR (Infineon Technologies)
type：	MOSFET_(20V 40V
encapsulé：	-
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	3985
État de RoHS：	1
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22157578

modèle：

22157578

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

IR (Infineon Technologies)

type：

MOSFET_(20V 40V

encapsulé：

Emballage：

Bande et bobine (TR)

quantité：

2485

lang_roHSStatusStatus：

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Série	OptiMOS™ 7
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerTDFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	430A (Tj)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	0.52mOhm @ 88A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	179W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	1.8V @ 95µA
Package d'appareil du fournisseur	PG-TDSON-8-43
Grade	Automotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	141 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9415 pF @ 20 V
Qualification	AEC-Q101