langue:fr 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| modèle： | IPTC026N12NM6ATMA1 |
|---|---|
| Classification des produits： | FET simples, MOSFET |
| Fabricants： | IR (Infineon Technologies) |
| type： | TRENCH >=100V |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 3000 |
| État de RoHS： | 1 |
|
Obtenir des informations sur les offres
|
quantité
prix
Le prix total
1
$6.0500
$6.0500
10
$5.4600
$54.6000
25
$5.2100
$130.2500
100
$4.5200
$452.0000
250
$4.3200
$1,080.0000
500
$3.9400
$1,970.0000
1800
$3.4300
$6,174.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
| Série | OptiMOS™ 6 |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 16-PowerSOP Module |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 26A (Ta), 222A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 115A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 3.8W (Ta), 278W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 3.6V @ 169µA |
| Package d'appareil du fournisseur | PG-HDSOP-16-2 |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 120 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 60 V |
