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JIQUN
| modèle： | IRF6643TRPBFXTMA1 |
|---|---|
| Classification des produits： | FET simples, MOSFET |
| Fabricants： | IR (Infineon Technologies) |
| type： | TRENCH >=100V |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 3000 |
| État de RoHS： | 1 |
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quantité
prix
Le prix total
4800
$0.9500
$4,560.0000
9600
$0.9200
$8,832.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | DirectFET™ Isometric MZ |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 6.2A (Ta), 35A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 34.5mOhm @ 7.6A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4.9V @ 150µA |
| Package d'appareil du fournisseur | DirectFET™ Isometric MZ |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 150 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 25 V |
