IRFL110TR FET simples, MOSFET

Produits Détails

modèle：	IRFL110TR
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	Vishay / Siliconix
type：	MOSFET N-CH 100
encapsulé：	-
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	3000
État de RoHS：
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352412

modèle：

352412

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

Vishay / Siliconix

type：

MOSFET N-CH 100

encapsulé：

Emballage：

Bande et bobine (TR)

quantité：

1500

lang_roHSStatusStatus：

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Vishay / Siliconix
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	OBSOLETE
Colis/Caisse	TO-261-4, TO-261AA
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	540mOhm @ 900mA, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	SOT-223
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.3 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	180 pF @ 25 V