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Produits Détails
  • image of Modules IGBT>NXH100T120L3Q0S1NG
  • image of Modules IGBT>NXH100T120L3Q0S1NG
modèle NXH100T120L3Q0S1NG
Classification des produits Modules IGBT
Fabricants Sanyo Semiconductor/onsemi
type 1200V GEN III Q
encapsulé -
Emballage Plateau
quantité 3024
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
prix: $60.5700
Les stocks: 3024
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$60.5700

$60.5700

24

$55.0700

$1,321.6800

48

$53.2300

$2,555.0400

96

$49.5600

$4,757.7600

image of Modules IGBT>21575831
21575831
modèle
21575831
Classification des produits
Modules IGBT
Fabricants
Sanyo Semiconductor/onsemi
type
1200V GEN III Q
encapsulé
-
Emballage
Plateau
quantité
1524
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantSanyo Semiconductor/onsemi
Série-
EmballerPlateau
État du produitACTIVE
Colis/CaisseModule
Type de montageChassis Mount
SaisirStandard
ConfigurationThree Level Inverter
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 75A
Thermistance CTNYes
Package d'appareil du fournisseur18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)54 A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)650 V
Puissance - Max122 W
Courant - Coupure du collecteur (Max)200 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce4877 pF @ 25 V
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
Veuillez sélectionner le service en ligne :
86-13826519287‬

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