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Produits Détails
  • image of FET simples, MOSFET>PJQ4437EP-AU_R2_002A1
  • image of FET simples, MOSFET>PJQ4437EP-AU_R2_002A1
modèle PJQ4437EP-AU_R2_002A1
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants PANJIT
type 30V P-CHANNEL E
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 7980
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
prix: $0.7200
Les stocks: 7980
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$0.7200

$0.7200

10

$0.6200

$6.2000

100

$0.4300

$43.0000

500

$0.3600

$180.0000

1000

$0.3100

$310.0000

2000

$0.2700

$540.0000

5000

$0.2500

$1,250.0000

10000

$0.2300

$2,300.0000

25000

$0.2300

$5,750.0000

image of FET simples, MOSFET>21187202
21187202
modèle
21187202
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricants
PANJIT
type
30V P-CHANNEL E
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
6480
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantPANJIT
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerVDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETP-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C10A (Ta), 41A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs15.4mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurDFN3333-8
GradeAutomotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±25V
Tension drain-source (Vdss)30 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1270 pF @ 25 V
QualificationAEC-Q101
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
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