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Produits Détails
  • image of FET simples, MOSFET>PJQ5546V-AU_R2_002A1
  • image of FET simples, MOSFET>PJQ5546V-AU_R2_002A1
modèle PJQ5546V-AU_R2_002A1
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants PANJIT
type 40V N-CHANNEL E
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 5975
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
prix: $0.4100
Les stocks: 5975
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$1.0000

$1.0000

10

$0.8200

$8.2000

100

$0.6400

$64.0000

500

$0.5400

$270.0000

1000

$0.4400

$440.0000

3000

$0.4100

$1,230.0000

6000

$0.3900

$2,340.0000

9000

$0.3800

$3,420.0000

image of FET simples, MOSFET>19105145
19105145
modèle
19105145
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricants
PANJIT
type
40V N-CHANNEL E
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
4475
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantPANJIT
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerVDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id3.5V @ 50µA
Package d'appareil du fournisseurDFN5060-8
GradeAutomotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1283 pF @ 25 V
QualificationAEC-Q101
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
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86-13826519287‬

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