PSMN1R9-40YSBX FET simples, MOSFET

Produits Détails

modèle：	PSMN1R9-40YSBX
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	Nexperia
type：	PSMN1R9-40YSB/S
encapsulé：	-
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	3000
État de RoHS：	1
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22216640

modèle：

22216640

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

Nexperia

type：

PSMN1R9-40YSB/S

encapsulé：

Emballage：

Bande et bobine (TR)

quantité：

1500

lang_roHSStatusStatus：

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Nexperia
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	SC-100, SOT-669
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 25A, 10V
Fonctionnalité FET	Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (maximum)	194W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	3.6V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6297 pF @ 20 V