langue:fr 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| modèle： | SCT012H90G3AG |
|---|---|
| Classification des produits： | FET simples, MOSFET |
| Fabricants： | STMicroelectronics |
| type： | H2PAK-7 |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 3000 |
| État de RoHS： | 1 |
|
Obtenir des informations sur les offres
|
quantité
prix
Le prix total
1000
$30.0600
$30,060.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | STMicroelectronics |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 110A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 15.8mOhm @ 60A, 18V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 625W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4.2V @ 10mA |
| Package d'appareil du fournisseur | H2PAK-7 |
| Grade | Automotive |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Vgs (Max) | +18V, -5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 900 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 138 nC @ 18 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3880 pF @ 600 V |
| Qualification | AEC-Q101 |
