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JIQUN

Produits Détails
  • image of Matrices FET, MOSFET>SSM6N24TU,LF
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modèle SSM6N24TU,LF
Classification des produits Matrices FET, MOSFET
Fabricants Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
type MOSFET 2N-CH 30
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 5565
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
prix: $0.4300
Les stocks: 5565
Le nombre total

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prix

Le prix total

1

$0.4300

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$20.0000

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$0.1900

$95.0000

1000

$0.1300

$130.0000

3000

$0.1200

$360.0000

6000

$0.1100

$660.0000

9000

$0.1000

$900.0000

30000

$0.1000

$3,000.0000

75000

$0.0900

$6,750.0000

image of Matrices FET, MOSFET>10380009
10380009
modèle
10380009
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricants
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
type
MOSFET 2N-CH 30
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
4065
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SérieU-MOSIII
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse6-SMD, Flat Leads
Type de montageSurface Mount
Configuration2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement150°C
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max500mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss)30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C500mA (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds245pF @ 10V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id1.1V @ 100µA
Package d'appareil du fournisseurUF6
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
Veuillez sélectionner le service en ligne :
86-13826519287‬

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