modèle: | STS5DNF20V |
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Classification des produits: | Matrices FET, MOSFET |
Fabricants: | STMicroelectronics |
type: | MOSFET 2N-CH 20 |
encapsulé: | - |
Emballage: | Bande et bobine (TR) |
quantité: | 3000 |
État de RoHS: | 1 |
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TAPER | DESCRIPTION |
Fabricant | STMicroelectronics |
Série | STripFET™ II |
Emballer | Bande et bobine (TR) |
État du produit | OBSOLETE |
Colis/Caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Type de montage | Surface Mount |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Puissance - Max | 2W |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 5A |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 4.5V |
Fonctionnalité FET | Logic Level Gate |
Vgs(e) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
Package d'appareil du fournisseur | 8-SOIC |