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Produits Détails
  • image of Matrices FET, MOSFET>STS5DNF20V
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modèle STS5DNF20V
Classification des produits Matrices FET, MOSFET
Fabricants STMicroelectronics
type MOSFET 2N-CH 20
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 3000
État de RoHS 1
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image of Matrices FET, MOSFET>654588
654588
modèle
654588
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricants
STMicroelectronics
type
MOSFET 2N-CH 20
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
1500
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantSTMicroelectronics
SérieSTripFET™ II
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitOBSOLETE
Colis/Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montageSurface Mount
Configuration2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max2W
Tension drain-source (Vdss)20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C5A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 25V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 2.5A, 4.5V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 4.5V
Fonctionnalité FETLogic Level Gate
Vgs(e) (Max) @ Id600mV @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur8-SOIC
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
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