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JIQUN

Produits Détails
  • image of FET simples, MOSFET>UF3C120080K4S
  • image of FET simples, MOSFET>UF3C120080K4S
modèle UF3C120080K4S
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants UnitedSiC (Qorvo)
type SICFET N-CH 120
encapsulé -
Emballage Tube
quantité 19473
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
prix: $11.8500
Les stocks: 19473
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$14.6300

$14.6300

30

$11.8500

$355.5000

120

$11.1500

$1,338.0000

510

$10.1100

$5,156.1000

1020

$9.2700

$9,455.4000

image of FET simples, MOSFET>12083415
12083415
modèle
12083415
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricants
UnitedSiC (Qorvo)
type
SICFET N-CH 120
encapsulé
-
Emballage
Tube
quantité
17973
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
PDF(2)
TAPERDESCRIPTION
FabricantUnitedSiC (Qorvo)
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-4
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieSiCFET (Cascode SiCJFET)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C33A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 12V
Dissipation de puissance (maximum)254.2W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id6V @ 10mA
Package d'appareil du fournisseurTO-247-4
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)12V
Vgs (Max)±25V
Tension drain-source (Vdss)1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
Veuillez sélectionner le service en ligne :
86-13826519287‬

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