XP3C023AMT Matrices FET, MOSFET

Produits Détails

modèle：	XP3C023AMT
Classification des produits：	Matrices FET, MOSFET
Fabricants：	YAGEO XSEMI
type：	MOSFET N AND P-
encapsulé：	-
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	4000
État de RoHS：	1
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21361532

modèle：

21361532

Classification des produits：

Matrices FET, MOSFET

Fabricants：

YAGEO XSEMI

type：

MOSFET N AND P-

encapsulé：

Emballage：

Bande et bobine (TR)

quantité：

2500

lang_roHSStatusStatus：

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP3C023A
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerLDFN
Type de montage	Surface Mount
Configuration	N and P-Channel
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max	3.57W (Ta)
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12A (Ta), 10A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2320pF @ 15V, 2480pF @ 15V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	10.4mOhm @ 10A, 10V, 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	19.2nC @ 4.5V, 21.6nC @ 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseur	PMPAK® 5 x 6