XP65AN1K2IT FET simples, MOSFET

Produits Détails

modèle：	XP65AN1K2IT
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	YAGEO XSEMI
type：	MOSFET N-CH 650
encapsulé：	-
Emballage：	Tube
quantité：	4000
État de RoHS：	1
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21361504

modèle：

21361504

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

YAGEO XSEMI

type：

MOSFET N-CH 650

encapsulé：

Emballage：

Tube

quantité：

2500

lang_roHSStatusStatus：

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP65AN1K2
Emballer	Tube
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-220-3 Full Pack
Type de montage	Through Hole
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	TO-220CFM
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	44.8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2048 pF @ 100 V