言語:ja 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| モデル： | CGD65B200S2-T13 |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | Cambridge GaN Devices |
| カテゴリ： | 650V GAN HEMT, |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | テープ＆リール（TR） |
| 数量： | 7355 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$4.5500
$4.5500
10
$3.8200
$38.2000
100
$3.0900
$309.0000
500
$2.7500
$1,375.0000
1000
$2.3500
$2,350.0000
2000
$2.2100
$4,420.0000
5000
$2.1300
$10,650.0000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Cambridge GaN Devices |
| シリーズ | ICeGaN™ |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V |
| FETの特徴 | Current Sensing |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.2V @ 2.75mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 9V, 20V |
| Vgs (最大) | +20V, -1V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 1.4 nC @ 12 V |
