言語:ja
  • zh-cn
  • en
  • ja
  • ru
  • fr
  • ar

JIQUN

製品の詳細
  • image of シングルFET、MOSFET>EPC7018GC
  • image of シングルFET、MOSFET>EPC7018GC
  • image of シングルFET、MOSFET>EPC7018GC
  • image of シングルFET、MOSFET>EPC7018GC
モデル EPC7018GC
製品分類 シングルFET、MOSFET
製造元 EPC Space
カテゴリ GAN FET HEMT 10
カプセル化 -
ほうそう バルク
数量 3008
RoHS状態
見積情報の取得
価格: $316.8000
ストック: 3008
合計数

数量

価格

合計価格

1

$316.8000

$316.8000

10

$296.7200

$2,967.2000

image of シングルFET、MOSFET>17395252
image of シングルFET、MOSFET>17395252
17395252
モデル
17395252
製品分類
シングルFET、MOSFET
製造元
EPC Space
カテゴリ
GAN FET HEMT 10
カプセル化
-
ほうそう
バルク
数量
1508
lang_roHSStatusStatus
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元EPC Space
シリーズeGaN®
パッケージバルク
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース5-SMD, No Lead
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C80A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs6mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID2.5V @ 12mA
サプライヤーデバイスパッケージ5-SMD
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)5V
Vgs (最大)+6V, -4V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs11.7 nC @ 5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds1240 pF @ 50 V
captcha

サービス時間:月曜日~土曜日9:00~18:00
オンラインカスタマーサービスを選択してください:
86-13826519287‬

サービス時間:月曜日~土曜日9:00~18:00
オンラインカスタマーサービスを選択してください:
点击这里给我发消息
0