モデル: | FBG30N04CC |
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製品分類: | シングルFET、MOSFET |
製造元: | EPC Space |
カテゴリ: | GAN FET HEMT 30 |
カプセル化: | - |
ほうそう: | バルク |
数量: | 3000 |
RoHS状態: | |
見積情報の取得
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数量
価格
合計価格
1
$318.0500
$318.0500
10
$297.8900
$2,978.9000
タイプ | 説明 |
製造元 | EPC Space |
シリーズ | - |
パッケージ | バルク |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 4-SMD, No Lead |
取付タイプ | Surface Mount |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
FETタイプ | N-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 404mOhm @ 4A, 5V |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.8V @ 600µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 4-SMD |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V |
Vgs (最大) | +6V, -4V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 300 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.6 nC @ 5 V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 450 pF @ 150 V |