G01N20LE シングルFET、MOSFET

製品の詳細

モデル：	G01N20LE
製品分類：	シングルFET、MOSFET
製造元：	Goford Semiconductor
カテゴリ：	N200V,RD(MAX)<8
カプセル化：	-
ほうそう：	テープ＆リール（TR）
数量：	3826
RoHS状態：	1
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価格: $0.4100

ストック: 3826

合計数

数量

価格

合計価格

$0.4100

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$0.1900

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$90.0000

1000

$0.1200

$120.0000

3000

$0.1100

$330.0000

6000

$0.1100

$660.0000

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$900.0000

30000

$0.0900

$2,700.0000

75000

$0.0900

$6,750.0000

15929418

モデル：

15929418

製品分類：

シングルFET、MOSFET

製造元：

Goford Semiconductor

カテゴリ：

N200V,RD(MAX)<8

カプセル化：

ほうそう：

テープ＆リール（TR）

数量：

2326

lang_roHSStatusStatus：

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Goford Semiconductor
シリーズ	TrenchFET®
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
取付タイプ	Surface Mount
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ	N-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	1.7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	700mOhm @ 1A, 10V
消費電力(最大)	1.5W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ	SOT-23-3
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Vgs (最大)	±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	200 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	12 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	580 pF @ 25 V