G06N06S シングルFET、MOSFET

製品の詳細

モデル：	G06N06S
製品分類：	シングルFET、MOSFET
製造元：	Goford Semiconductor
カテゴリ：	N60V,RD(MAX)<22
カプセル化：	-
ほうそう：	テープ＆リール（TR）
数量：	9142
RoHS状態：	1
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価格: $0.2200

ストック: 9142

合計数

数量

価格

合計価格

$0.5900

$0.5100

$5.1000

100

$0.3500

$35.0000

500

$0.2900

$145.0000

1000

$0.2500

$250.0000

2000

$0.2200

$440.0000

4000

$0.2200

$880.0000

8000

$0.2100

$1,680.0000

12000

$0.2000

$2,400.0000

28000

$0.1900

$5,320.0000

16499564

モデル：

16499564

製品分類：

シングルFET、MOSFET

製造元：

Goford Semiconductor

カテゴリ：

N60V,RD(MAX)<22

カプセル化：

ほうそう：

テープ＆リール（TR）

数量：

7642

lang_roHSStatusStatus：

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Goford Semiconductor
シリーズ	TrenchFET®
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
取付タイプ	Surface Mount
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ	N-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	22mOhm @ 6A, 10V
消費電力(最大)	2.1W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID	2.4V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOP
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Vgs (最大)	±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	46 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1600 pF @ 30 V