G10N10A シングルFET、MOSFET

製品の詳細

モデル：	G10N10A
製品分類：	シングルFET、MOSFET
製造元：	Goford Semiconductor
カテゴリ：	N100V,RD(MAX)13
カプセル化：	-
ほうそう：	テープ＆リール（TR）
数量：	7794
RoHS状態：	1
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価格: $0.5800

ストック: 7794

合計数

数量

価格

合計価格

$0.5800

$0.4900

$4.9000

100

$0.3400

$34.0000

500

$0.2700

$135.0000

1000

$0.2200

$220.0000

2500

$0.1900

$475.0000

5000

$0.1800

$900.0000

12500

$0.1700

$2,125.0000

25000

$0.1700

$4,250.0000

16533496

モデル：

16533496

製品分類：

シングルFET、MOSFET

製造元：

Goford Semiconductor

カテゴリ：

N100V,RD(MAX)13

カプセル化：

ほうそう：

テープ＆リール（TR）

数量：

6294

lang_roHSStatusStatus：

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Goford Semiconductor
シリーズ	TrenchFET®
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
取付タイプ	Surface Mount
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ	N-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	130mOhm @ 2A, 10V
消費電力(最大)	28W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-252
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Vgs (最大)	±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	90 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	690 pF @ 25 V