G12P10KE シングルFET、MOSFET

製品の詳細

モデル：	G12P10KE
製品分類：	シングルFET、MOSFET
製造元：	Goford Semiconductor
カテゴリ：	P-100V,ESD,-12A
カプセル化：	-
ほうそう：	テープ＆リール（TR）
数量：	4324
RoHS状態：	1
見積情報の取得

価格: $0.6100

ストック: 4324

合計数

数量

価格

合計価格

$0.6100

$0.5200

$5.2000

100

$0.3600

$36.0000

500

$0.2800

$140.0000

1000

$0.2300

$230.0000

2500

$0.2000

$500.0000

5000

$0.1900

$950.0000

12500

$0.1800

$2,250.0000

25000

$0.1800

$4,500.0000

17111917

モデル：

17111917

製品分類：

シングルFET、MOSFET

製造元：

Goford Semiconductor

カテゴリ：

P-100V,ESD,-12A

カプセル化：

ほうそう：

テープ＆リール（TR）

数量：

2824

lang_roHSStatusStatus：

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Goford Semiconductor
シリーズ	TrenchFET®
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
取付タイプ	Surface Mount
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ	P-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	200mOhm @ 6A, 10V
消費電力(最大)	57W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-252
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Vgs (最大)	±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	33 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1720 pF @ 50 V