G35N02K シングルFET、MOSFET

製品の詳細

モデル：	G35N02K
製品分類：	シングルFET、MOSFET
製造元：	Goford Semiconductor
カテゴリ：	N20V,RD(MAX)<13
カプセル化：	-
ほうそう：	テープ＆リール（TR）
数量：	3217
RoHS状態：	1
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価格: $0.4300

ストック: 3217

合計数

数量

価格

合計価格

$0.4300

$0.3700

$3.7000

100

$0.2600

$26.0000

500

$0.2000

$100.0000

1000

$0.1600

$160.0000

2500

$0.1500

$375.0000

5000

$0.1400

$700.0000

12500

$0.1300

$1,625.0000

25000

$0.1300

$3,250.0000

62500

$0.1200

$7,500.0000

16584942

モデル：

16584942

製品分類：

シングルFET、MOSFET

製造元：

Goford Semiconductor

カテゴリ：

N20V,RD(MAX)<13

カプセル化：

ほうそう：

テープ＆リール（TR）

数量：

1717

lang_roHSStatusStatus：

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Goford Semiconductor
シリーズ	-
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
取付タイプ	Surface Mount
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ	N-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	13mOhm @ 20A, 4.5V
消費電力(最大)	40W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID	1.2V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-252
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.5V, 4.5V
Vgs (最大)	±12V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	24 nC @ 4.5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1380 pF @ 10 V