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JIQUN
| モデル： | G3R75MT12K |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | GeneSiC Semiconductor |
| カテゴリ： | SIC MOSFET N-CH |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | チューブ |
| 数量： | 3706 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$10.7700
$10.7700
10
$9.7100
$97.1000
25
$9.3100
$232.7500
100
$8.7500
$875.0000
250
$8.3900
$2,097.5000
500
$8.1400
$4,070.0000
1000
$7.8900
$7,890.0000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | GeneSiC Semiconductor |
| シリーズ | G3R™ |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-247-4 |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V |
| 消費電力(最大) | 207W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.69V @ 7.5mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-4 |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V |
| Vgs (最大) | +22V, -10V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 54 nC @ 15 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1560 pF @ 800 V |
