G60N04K シングルFET、MOSFET

製品の詳細

モデル：	G60N04K
製品分類：	シングルFET、MOSFET
製造元：	Goford Semiconductor
カテゴリ：	N40V,RD(MAX)<7M
カプセル化：	-
ほうそう：	テープ＆リール（TR）
数量：	5432
RoHS状態：	1
見積情報の取得

価格: $0.7200

ストック: 5432

合計数

数量

価格

合計価格

$0.7200

$0.6200

$6.2000

100

$0.4300

$43.0000

500

$0.3600

$180.0000

1000

$0.3100

$310.0000

2500

$0.2700

$675.0000

5000

$0.2600

$1,300.0000

12500

$0.2400

$3,000.0000

25000

$0.2400

$6,000.0000

16499541

モデル：

16499541

製品分類：

シングルFET、MOSFET

製造元：

Goford Semiconductor

カテゴリ：

N40V,RD(MAX)<7M

カプセル化：

ほうそう：

テープ＆リール（TR）

数量：

3932

lang_roHSStatusStatus：

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Goford Semiconductor
シリーズ	TrenchFET®
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
取付タイプ	Surface Mount
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ	N-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	7mOhm @ 30A, 10V
消費電力(最大)	65W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-252 (DPAK)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Vgs (最大)	±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	29 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1800 pF @ 20 V