モデル: | GPI90005DF88 |
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製品分類: | シングルFET、MOSFET |
製造元: | GaNPower |
カテゴリ: | GaNFET N-CH 90 |
カプセル化: | - |
ほうそう: | テープ&リール(TR) |
数量: | 3050 |
RoHS状態: | 1 |
見積情報の取得
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数量
価格
合計価格
1
$3.1300
$3.1300
タイプ | 説明 |
製造元 | GaNPower |
シリーズ | - |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 8-DFN |
取付タイプ | Surface Mount |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
FETタイプ | N-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 5A |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 320mOhm @ 1A, 6V |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.3V @ 3.5mA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DFN (8x8) |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V |
Vgs (最大) | +7.5V, -12V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 900 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 1.6 nC @ 6 V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 39 pF @ 400 V |